BSO211PHXUMA1
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Infineon Technologies BSO211PHXUMA1
| Artikelnummer: | BSO211PHXUMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies BSO211PHXUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSO211PHXUMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 25µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Leistung - max 1.6W Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1095pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Grundproduktnummer BSO211 BSO211PHXUMA1 Einzelheiten PDF [English] BSO211PHXUMA1 PDF - EN.pdf -
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